iPhone6s最近在摄像头上面花了大力气，不仅摄像头升级为1200万与500万，同时又为了使得摄像头对焦也更加准确，CMOS 为了降噪也采用了成为“深槽隔离”技术，那么深槽隔离技术是什么鬼？

　　下面小编来安利一下：CMoS集成电路具有功耗低、噪声容限大、集成度高等突出优点,是Lsl和vLsl的发展方向之一。但是,CMOs结构的致命弱点是易发生门锁。随着集成技术的发展,器件的横向尺寸(如栅长等)及纵向尺寸(如阱深等)都必须缩小,因此,导致寄生双极晶体管的增益增大,使得常规的局部选择氧化隔离工艺 (LoCos)中的门锁何题变得更加突出. LoCoS一直是Mos IC的标准隔离工艺,由于此工艺采用了简单的自对准注入来控制场区闭值电压,因而在制造高性能的NMoS IC中得到了广泛应用.但在CMos工艺中,为了在n一区和p一区进行自对准的场注入,必须增加一次光刻,因此,LOCOS工艺并不完美,而更严重的是由于LOCOS工艺的场氧化和场注入要产生“鸟咀”效应和“窄沟道刀效应,限制了集成密度的提高〔”。 深槽隔离工艺是利用反应离子刻蚀U型槽,然后在槽中填充介质为了使得摄像头对焦也更加准确，CMOS 为了降噪也采用了成为“深槽隔离”技术。

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